ИФП СО РАН

Об организации

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) — научно-исследовательский институт, основанный в 1964 году. Проводит фундаментальные и прикладные исследования в области физики полупроводников, наноэлектроники и фотоники, а также готовит научные кадры через аспирантуру.

Обучение и программы

Институт объявляет приём в аспирантуру по программам подготовки научных и научно-педагогических кадров очной формы обучения. Подготовка ведётся по направлениям, связанным с физикой полупроводниковых наноструктур, квантовой информатикой, полупроводниковой оптоэлектроникой и физикой низкоразмерных систем.

Инфраструктура

На территории института имеется актовый зал.

Адрес и доступ

Институт расположен в Новосибирске, в Советском районе, микрорайоне Академгородок, по адресу: проспект Академика Лаврентьева, 13.

Режим работы

Понедельник–пятница, с 08:30 до 17:30.

Аккредитация и надзор

Институт является государственным бюджетным учреждением науки, входящим в структуру Сибирского отделения Российской академии наук.

Что отмечают в отзывах

В отзывах институт предстаёт организацией с сильной научной репутацией и уникальными разработками, особенно в области инфракрасной техники. Отмечают высокий уровень специалистов, активную студенческую и аспирантскую среду, удобное расположение и доступную транспортную развязку. Вместе с тем авторы упоминают невысокий уровень оплаты труда, проблемы с отоплением в холодное время, задержки платежей по государственным контрактам и состояние дорог вблизи института.

Об организации

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) — научно-исследовательский институт, основанный в 1964 году. Проводит фундаментальные и прикладные исследования в области физики полупроводников, наноэлектроники и фотоники, а также готовит научные кадры через аспирантуру.

Обучение и программы

Институт объявляет приём в аспирантуру по программам подготовки научных и научно-педагогических кадров очной формы обучения. Подготовка ведётся по направлениям, связанным с физикой полупроводниковых наноструктур, квантовой информатикой, полупроводниковой оптоэлектроникой и физикой низкоразмерных систем.

Инфраструктура

На территории института имеется актовый зал.

Адрес и доступ

Институт расположен в Новосибирске, в Советском районе, микрорайоне Академгородок, по адресу: проспект Академика Лаврентьева, 13.

Режим работы

Понедельник–пятница, с 08:30 до 17:30.

Аккредитация и надзор

Институт является государственным бюджетным учреждением науки, входящим в структуру Сибирского отделения Российской академии наук.

Что отмечают в отзывах

В отзывах институт предстаёт организацией с сильной научной репутацией и уникальными разработками, особенно в области инфракрасной техники. Отмечают высокий уровень специалистов, активную студенческую и аспирантскую среду, удобное расположение и доступную транспортную развязку. Вместе с тем авторы упоминают невысокий уровень оплаты труда, проблемы с отоплением в холодное время, задержки платежей по государственным контрактам и состояние дорог вблизи института.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) — ведущий научно-исследовательский институт в области физики полупроводников, наноэлектроники и фотоники. Основан в 1964 году, расположен в Академгородке Новосибирска. Институт проводит фундаментальные и прикладные исследования, а также осуществляет подготовку научных кадров через аспирантуру. Основные направления: физика полупроводниковых наноструктур, квантовая информатика, полупроводниковая оптоэлектроника, физика низкоразмерных систем.

Общее впечатление

ИФП СО РАН — научно-исследовательский институт в новосибирском Академгородке, который в отзывах предстаёт организацией с сильной научной репутацией и уникальными разработками, особенно в области инфракрасной техники. Авторы отмечают высокий уровень специалистов, активную студенческую и аспирантскую среду, а также удобное расположение. Мнения разделяются: с одной стороны, звучит гордость за разработки и признание института как хорошего места для научной карьеры, с другой — встречаются претензии к условиям труда и финансовым вопросам. В целом образ складывается как у солидного, но не лишённого бытовых проблем учреждения.

Плюсы

• Уникальные научные разработки, особенно в области инфракрасных детекторов и тепловизоров
• Высококвалифицированные специалисты и живая научная среда
• Удобное расположение и доступная транспортная развязка
• Активное привлечение студентов и аспирантов к работе
• Междисциплинарный характер исследований

Минусы

• Отмечают невысокий уровень оплаты труда
• Встречаются упоминания о проблемах с отоплением в холодное время
• Упоминают задержки платежей по государственным контрактам
• Обращают внимание на состояние дорог вблизи института