ИФП СО РАН

Об организации

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) — научно-исследовательский институт, основанный в 1964 году. Основные направления деятельности включают фундаментальные исследования в области физики конденсированных сред, полупроводников и диэлектриков, физики низкоразмерных систем, а также прикладные разработки в микроэлектронике, оптоэлектронике, наноэлектронике и квантовых компьютерах.

Обучение и программы

Институт объявляет приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров очной формы обучения. На базе института действуют кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета, а также филиал кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета.

Инфраструктура

В распоряжении института — актовый зал и лаборатории.

Адрес и доступ

Институт расположен в Новосибирске, в Советском районе, микрорайоне Академгородок, по адресу: проспект Академика Лаврентьева, 13. Отмечается удобное расположение и хорошая транспортная доступность.

Режим работы

Понедельник–пятница, с 08:30 до 17:30.

Аккредитация и надзор

Институт является государственным бюджетным учреждением науки в структуре Сибирского отделения Российской академии наук.

Что отмечают в отзывах

В отзывах институт характеризуют как заметный научный центр Академгородка с сильными разработками, особенно в области инфракрасной техники и тепловизоров. Авторы отмечают высокий профессионализм сотрудников и активную научную среду, привлекающую студентов и аспирантов. При этом высказываются нарекания на невысокую оплату труда, проблемы с отоплением помещений, состояние дороги возле института и задержки платежей по госконтрактам.

Об организации

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) — научно-исследовательский институт, основанный в 1964 году. Основные направления деятельности включают фундаментальные исследования в области физики конденсированных сред, полупроводников и диэлектриков, физики низкоразмерных систем, а также прикладные разработки в микроэлектронике, оптоэлектронике, наноэлектронике и квантовых компьютерах.

Обучение и программы

Институт объявляет приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров очной формы обучения. На базе института действуют кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета, а также филиал кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета.

Инфраструктура

В распоряжении института — актовый зал и лаборатории.

Адрес и доступ

Институт расположен в Новосибирске, в Советском районе, микрорайоне Академгородок, по адресу: проспект Академика Лаврентьева, 13. Отмечается удобное расположение и хорошая транспортная доступность.

Режим работы

Понедельник–пятница, с 08:30 до 17:30.

Аккредитация и надзор

Институт является государственным бюджетным учреждением науки в структуре Сибирского отделения Российской академии наук.

Что отмечают в отзывах

В отзывах институт характеризуют как заметный научный центр Академгородка с сильными разработками, особенно в области инфракрасной техники и тепловизоров. Авторы отмечают высокий профессионализм сотрудников и активную научную среду, привлекающую студентов и аспирантов. При этом высказываются нарекания на невысокую оплату труда, проблемы с отоплением помещений, состояние дороги возле института и задержки платежей по госконтрактам.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) — ведущий научно-исследовательский институт, основанный в 1964 году. Основные направления деятельности включают фундаментальные исследования в области физики конденсированных сред, полупроводников и диэлектриков, физики низкоразмерных систем, а также прикладные разработки в микроэлектронике, оптоэлектронике, наноэлектронике и квантовых компьютерах. Институт активно занимается созданием наноструктур и технологий для новых поколений электронной техники.

Общее впечатление

Институт физики полупроводников СО РАН предстаёт в отзывах как заметный научный центр Академгородка с сильными разработками, особенно в области инфракрасной техники и тепловизоров. Авторы — как сотрудники, так и приезжие специалисты — сходятся во мнении, что здесь работают профессионалы высокого уровня, а научная среда привлекает студентов и аспирантов. При этом мнения о бытовых условиях и административных аспектах расходятся: одни называют институт хорошим местом для работы, другие сетуют на оплату и состояние помещений. В целом организация воспринимается как значимая, но с оговорками по отдельным вопросам.

Плюсы

• Уникальные научные разработки, в том числе в области инфракрасных детекторов
• Высокий профессионализм сотрудников и специалистов
• Удобное расположение и хорошая транспортная доступность
• Активная научная среда с участием студентов и аспирантов
• Междисциплинарный характер исследований

Минусы

• Отмечают невысокую оплату труда
• Встречаются упоминания о проблемах с отоплением помещений
• Указывают на плохое состояние дороги возле института
• Встречаются упоминания о задержках платежей по госконтрактам